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高功率時代下的產業化化合物半導體
  • 資訊類別:產品/技術/應用趨勢
  • 模  組  別:電子產業供應鏈上游材料,5G先進材料
  • 作  者:鄭華琦
  • 出版日期:2019/06/06

從終端應用來看,5G建設所需的基站設備,物聯網載具、雲端運算工具,乃至於歸類於工業自動化應用之電源、控制、驅動電路等硬體的電子組件,以及車用系統,如動力系統,ADAS系統、電控及充電樁等,是功率半導體產業發展之潛在機會。擔任要角的半導體材料,晶圓成為產業發展的觀測重點,除矽晶圓外,已經開始上線的化合物半導體晶圓需求漸趨明朗。就現有市況而言,化合物中寬能隙晶圓應用有逐年增加之趨勢。本文中將以目前市場廣為討論的氮化鎵(GaN),碳化矽(SiC),氧化鎵(Ga2O3)為重點,從產品類型/特性、市場概況與國際廠商發展進程,剖析未來發展。

【內容大綱】

  • 一、 化合物半導體發展課題
  • 二、 高頻之磊晶發展-GaN Epi
  • 三、 半絕緣碳化矽(SiC)磊晶之發展
  • 四、 後起直追的潛力磊晶圓材料-氧化鎵(Ga2O3
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【圖表大綱】

  • 表一、市售GaN磊晶晶圓特點與用途分類
  • 圖1、GaN晶圓產量與產值預測
  • 表二、GaN磊晶晶圓產業鏈動態
  • 圖2、GaN磊晶基底基板之供應商現況
  • 圖3、SiC晶圓產量與產值預測
  • 圖4、SiC晶圓銷售預測
  • 圖5、SiC晶圓之關鍵應用銷售預測
  • 表三、SiC磊晶晶圓產業鏈動態
  • 圖6、氧化鎵晶圓銷售預測

 

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